RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2548
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link