RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1916
2060
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link