RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
2611
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link