RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2513
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link