RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
1886
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link