RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2902
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link