RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2535
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link