RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2456
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link