RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
73
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.9
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
9.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2314
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link