RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2946
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link