RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
29
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
21
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3034
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link