RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3297
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link