RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3773
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link