RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2734
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link