RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3634
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link