RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3837
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link