RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
22.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3837
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link