RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3035
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link