RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
29
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
22
Velocità di lettura, GB/s
14.3
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
3035
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link