Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    20 left arrow 29
    Wokół strony -45% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19.4 left arrow 14.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    15.0 left arrow 10.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 20
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.3 left arrow 19.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 15.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2227 left arrow 3395
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania