Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Note globale
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

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Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    20 left arrow 29
    Autour de -45% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    19.4 left arrow 14.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    15.0 left arrow 10.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    29 left arrow 20
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.3 left arrow 19.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.1 left arrow 15.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2227 left arrow 3395
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons