RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de -9% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2566
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link