RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2566
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link