RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
47
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3099
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link