RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3191
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link