RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2017
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link