RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1718
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link