RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
29
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
18
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2422
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lenovo 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link