RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3038
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link