RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3038
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link