RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
50
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2566
2248
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link