RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
66
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3285
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link