RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,378.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,670.6
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,378.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
861
2349
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link