RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2281
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link