RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1998
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link