RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1998
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link