RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1998
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link