RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1998
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM1333KSN-4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link