RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1998
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link