RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2819
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link