RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2786
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link