RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3482
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link