RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
77
Por volta de -221% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3482
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link