RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
77
Por volta de -141% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3023
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link