RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
77
Por volta de -141% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3023
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link