RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3482
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link