RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2319
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link