RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
11.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2319
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link