RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2545
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link