RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3061
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link