RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Inmos + 256MB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Inmos + 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Inmos + 256MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
16800
10600
Wokół strony 1.58 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Inmos + 256MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
16800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2318
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Inmos + 256MB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link