RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2668
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link