RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
53
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3568
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link