RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
53
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3568
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link